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科学家基于三维异质结设计实现高性能纯红钙钛矿发光二极管
近日，中国科学技术大学姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟四个课题组合作，在纯红钙钛矿发光二极管（LED）领域取得重要进展。该团队自主发明了电激发瞬态光谱（EETA）技术，利用这一技术揭示了空穴泄漏是纯红三维钙钛矿LED效率滚降的关键因素，并开发出新型三维钙钛矿异质结发光层降低空穴泄漏，制备出高性能纯红钙钛矿LED。
넶1 2025-05-08 -
电激发瞬态吸收研究揭示 QLED 中量子限制斯塔克效应的尺寸依赖规律
中国科学技术大学樊逢佳教授团队联合河南大学申怀彬教授团队，在量子点发光二极管（QLED）量子限制斯塔克效应研究领域取得重要进展，相关成果发表于国际期刊《The Journal of Physical Chemistry Letters》。团队借助自主研发的电激发瞬态吸收光谱技术，首次厘清了工作态 QLED 中斯塔克效应的尺寸依赖规律，明确了波函数限域与电场屏蔽的双重作用机制，为高性能 QLED 的材料设计与器件优化提供了关键指导。
넶4 2025-04-07 -
中国科大在环保型磷化铟量子点LED工作机制研究中取得重要进展
中国科学技术大学物理学院樊逢佳教授与河南大学申怀彬教授携手合作，利用EETA技术深入研究了绿色磷化铟基量子点发光二极管的关键科学问题，成功实现了绿色磷化铟基量子点LED的峰值外量子效率（EQE）达到26.68%，亮度突破270,000 cd/m2，并在初始亮度1,000 cd/m2下，T95（亮度衰减到起始值的95%）寿命长达1,241小时，刷新了世界纪录。北京时间11月20日24时，相关研究成果以“Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage”为题，发表在《自然》期刊上，标志着无毒量子点LED技术取得重要进展。
넶0 2024-11-21 -
电激发瞬态吸收光谱研究揭示 QLED 效率滚降核心起源：明确电子泄漏为效率滚降主导因素
针对量子点发光二极管（QLED）高电流密度下效率滚降这一制约产业发展的关键问题，中国科学技术大学联合河南大学团队公布最新研究成果。团队借助自主研发的电激发瞬态吸收光谱技术，实现了工作态 QLED 内部载流子行为的原位定量探测，明确了效率滚降的主导成因，为 QLED 器件性能优化与场景拓展提供了关键的实验与理论支撑。
넶0 2024-08-20
